英飞凌第二代1200V CoolSiC™ MOSFET品质因数(FOM)介绍

发布时间：2026-07-10 23:01:01 来源：深圳市鑫荣皓电子有限公司 作者：综合

品质因数FOM是英飞因数半导体性能的量化指标之一。MOSFET的凌第FOM由漏-源导通电阻与器件的一个或多个参数的乘积得出。FOM值越低，品质器件性能越好。英飞因数

如下是凌第对SiC MOSFET具有重要意义的品质因数：

RDS(on)*Area: 这是最常用的FOM，它代表了MOSFET技术的品质进步

RDS(ON)× Qg: 综合反映静态导通损耗与栅极驱动损耗，是英飞因数器件选型与代际对比的基础指标

RDS(ON)× Coss:软开关核心指标，决定轻载损耗与谐振频率，凌第FOM 越小，品质轻载效率越高、英飞因数可工作频率越高

RDS(ON)× Eoss: 评估轻载 / 待机损耗，凌第Eoss越小，品质轻载下充放电损耗越低

器件数据手册通常不会给出FOM值。英飞因数英飞凌推出的凌第1200V第二代CoolSiC MOSFET，采用先进的品质沟槽栅SiC技术，实现了品质因数的全面突破。CoolSiC MOSFET G2能够实现超低导通电阻与低输出电容的完美结合，助力系统设计更紧凑、更经济。其业界领先的栅极电荷和输出电容特性，显著降低了开关损耗，提升了高频操作下的能效。此外，高栅-源阈值电压设计有效防止了寄生导通，确保了系统的稳定运行。无论是硬开关还是软开关应用，CoolSiC MOSFET都能提供灵活的设计空间，助力工程师打造卓越、高性能的解决方案。

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